Vækst af tynde krystalfilm er, sammen med teknikker til selektiv fjernelse af materialelag, en hjørnesten i DTU Danchips anlæg til mikro- og nanoproduktion. Det nyligt installerede MOVPE-system er den seneste tilføjelse til listen af renrumsudstyr i III-V laboratoriet. MOVPE-systemet kan skabe tynd krystalfilm med elektriske og optiske egenskaber i halvledermaterialer. Sammen med andet III-V udstyr giver det mulighed for fabrikation af optoelektronik, som f.eks. optiske lasere og optiske integrerede kredsløb.
MOVPE er en forkortelse af Metal Organic Vapor Phase Epitaxy. Teknologien giver mulighed for at deponere et ensartet lag i et enkelt krystals tykkelse med justerbar sammensætning på atomniveau. Det tillader renrumsbrugere at påføre legeringer på et emne med en tykkelse fra et monolag (0, 3 nanometer!) op til adskillige mikroner, og muliggør tredimensionelle nanostrukturer. De elektriske egenskaber kan styres ved hjælp af silicium, kul og zink-doping.
Resten af DTU Danchips III-V procesudstyr anvendes som regel i sammenhæng med MOVPE-anlægget. Se listen over III-V udstyr.