Strukturer som er præget på en siliciumskive ved hjælp af fotolitografi kan dække en flade på adskillige kvadratcentimeter i det horisontale plan, men i det vertikale plan opfatter man strukturelle dimensioner på mere end 10 mikrometer som "dybe". Derfor omtales mikro- og nanoteknologiske systemer ofte som 2½-dimensionelle. Det skyldes at strukturer i den vertikale dimension er baseret på, at man enten fjerner eller aflejrer et materiale på en plan flade.
At fjerne materialer ved hjælp af ætsning og samtidig bibeholde et særligt geometrisk mønster i nanoformat er langt fra en nem opgave. Der skal tages hensyn til design, ønsket geometri og materialevalg. På DTU Danchip bruges mange forskellige ætsningsmetoder. Ætsningsteknik betegnes som våd eller tør afhængigt af om der anvendes våd kemi (ofte syrer), eller om ætsningen foregår ved hjælp af gas/plasma.
Reactive Ion Etching (RIE) er en tørætsningsteknik som bruger et radiofrekvensfelt (RF) til at skabe en plasma af forskellige sammensatte gasarter. Plasmaen er højreaktiv og kan bombarderes ind på substratet med en kontrollerbar kintesk energi. Kombinationen af variable plasmatyper og kinetisk energi giver kontrol over ætsningsprocessen.
Processen kan indstilles til at producere en høj grad af anisotrop (retningsbestemt) eller isotropisk (i alle retninger) ætsning af forskellige materialer. Typisk ætses silicium, siliciumoxid eller nitrider. Den alsidighed og kontrollerbarhed som findes med plasmaætsning/tørætsning er meget forskellig fra vådætsningsprocesser, der normalt er isotropiske eller afhængig af den ætsede overflades krystalopbygning.
DTU Danchip driver syv plasmabaserede ætsningssystemer, som alle er leveret af STS. For at sikre repeterbarhed og stabilitet har vi et dedikeret induktivt koblet plasma (ICP) system til bearbejdning af metal, silicium, siliciumoxid, polymer og III-V materialer.